N-Channel MOSFET TransIstor, 30 A, 100 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon IAUZ30N10S5L240ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066806409
- Артикул
- IAUZ30N10S5L240ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- IAUZ30N10
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 3.4 ns
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | IAUZ30N10 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Rise Time: | 1 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | IAUZ30N10S5L240 SP002143552 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 45.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |