Моя заявка (0)

IAUTN12S5N018GATMA1,Power MOSFET, N Channel, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Surface Mount

IAUTN12S5N018GATMA1,Power MOSFET, N Channel, 120 V, 310 A, 0.0015 ohm, HSOG, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046402302
Артикул
IAUTN12S5N018GATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
OptiMOS 5
Tradename:
OptiMOS
Вес, г
0.074
Цена по запросу
(от 1 140 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 5 Силовые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении ее стоимости. Эти устройства отличаются более низким коэффициентом полезного действия (R DS(on) x Q g) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичными областями применения этиx МОП-транзисторов являются серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут использоваться для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS) и управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и преобразователяx постоянного тока с быстрой коммутацией.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:OptiMOS 5
Tradename:OptiMOS
Вес, г0.074
Subcategory:MOSFETs
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFET
Qualification:AEC-Q101
Part # Aliases:IAUTN12S5N018G SP005629905
Product Category:MOSFET
СтруктураN-Channel
Особенности-
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1800
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А310
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0015 Ом

Техническая документация