Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 300 A, 80 V D2PAK IAUT300N08S5N014ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033014226
Артикул
IAUT300N08S5N014ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Q(g)
144 nC
V(DS)
80 V
P(tot)
300 W
Package
HSOF-8
Цена по запросу
(от 1 355,21 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В МОП-транзистораx Infineon IAUT300N08S5N014ATMA1, специально разработанныx для применения в автомобилестроении, в этой ячеистой плоской конструкции силовыx МОП-транзисторов HEXFET® используются новейшие теxнологии обработки для достижения низкого вxодного сопротивления на площади кремния.

Технические параметры

Q(g)144 nC
V(DS)80 V
P(tot)300 W
PackageHSOF-8
R(thJC)0.5 K/W
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveAEC-Q(100)
TechnologyOptiMOS 5
Вес, г1
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
ConfigurationN-CH
Mounting TypeSurface Mount
RDS(on)at 10V1.4 mOhm
Fast bodydiodeNO
I(D)at Tc=25°C300 A
Power Dissipation300Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain Source On State Resistance0.0011Ом
Maximum Continuous Drain Current300 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока300А
Рассеиваемая Мощность300Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораHSOF
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0011Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А300
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0011 Ом

Техническая документация