IAUT240N08S5N019ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 240 A, 0.0019 ohm, HSOF, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000435146
- Артикул
- IAUT240N08S5N019ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- FET Type
- N-Channel
- Pin Count
- 8
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 603 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IAUT240N08S5N019, SP001685094
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 36 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | HSOF-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOF-8 |
| Part # Aliases: | IAUT240N08S5N019 SP001685094 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 230Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 130 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 160µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 230 W |
| Power Dissipation (Max) | 230W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 240 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.9 mO |
| Drain Source On State Resistance | 0.0015Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 240 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9264 pF @ 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 240А |
| Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0015Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0019 Ом |