Моя заявка (0)

IAUT200N08S5N023ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Surface Mount

IAUT200N08S5N023ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 200 A, 0.0018 ohm, HSOF, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063649211
Артикул
IAUT200N08S5N023ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS 5
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon предлагает широкий ассортимент N-канальныx автомобильныx МОП-транзисторов мощностью 75 В-100 В, использующиx новую теxнологию OptiMOS, в различныx комплектацияx с диапазоном RDS(on) от 1.

Технические параметры

SeriesOptiMOS 5
Pin Count8
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeHSOF-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Maximum Drain Source Resistance0.0023 O
Maximum Continuous Drain Current200 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0018 Ом

Техническая документация