IAUT165N08S5N029ATMA2, 80V 165A 2.9mOhm@80A,10V 167W 3.8V@108uA N Channel 6370pF@40V 90nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) HSOF-8-1 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070064649
- Артикул
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IAUT
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.97
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 313,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор_(75V, 120V(
Технические параметры
| Series | IAUT |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.97 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 167Вт |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 29 ns |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Infineon |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | HSOF-8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0029 Ω |
| Qg - заряд затвора: | 90 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.0024Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 165 A |
| Время нарастания: | 9 ns |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Непрерывный Ток Стока | 165А |
| Рассеиваемая Мощность | 167Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 167 W |
| Другие названия товара №: | IAUT165N08S5N029 SP001585162 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 165 A |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 80 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.2 V |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0024Ом |