OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 165 A, 80 V, 8-Pin HSOF-8 IAUT165N08S5N029ATMA2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019879873
- Артикул
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- IAUT
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 685,53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Infineon имеет рабочую температуру 175°C и прошел 100-процентное лавинное тестирование. Он соответствует требованиям RoHS и соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Series | IAUT |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 167Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 29 ns |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Infineon |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | HSOF-8 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0029 Ω |
| Qg - заряд затвора: | 90 nC |
| Drain Source On State Resistance | 0.0024Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 165 A |
| Время нарастания: | 9 ns |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Непрерывный Ток Стока | 165А |
| Рассеиваемая Мощность | 167Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 167 W |
| Другие названия товара №: | IAUT165N08S5N029 SP001585162 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 165 A |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOF |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 2.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 80 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0024Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 165 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0024 Ом |