IAUT150N10S5N035ATMA1, MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005505179
- Артикул
- IAUT150N10S5N035ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 67 nC
- V(DS)
- 100 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 166 W
Цена по запросу
(от 334,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.
Технические параметры
| Q(g) | 67 nC |
| V(DS) | 100 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 166 W |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Package | HSOF-8 |
| R(thJC) | 0.9 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | AEC-Q(100) |
| Fall Time: | 26 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Technology | OptiMOS 5 |
| Вес, г | 0.77 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | HSOF-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 3.5 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| I(D)at Tc=25°C | 150 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOF-8 |
| Part # Aliases: | IAUT150N10S5N035 SP001416126 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 67 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0035 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |