OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 300 A, 80 V, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG) IAUS300N08S5N012ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013946
- Артикул
- IAUS300N08S5N012ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 55 ns
Цена по запросу
(от 1 257,89 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Infineon имеет рабочую температуру 175°C и прошел 100-процентное лавинное тестирование. Он соответствует требованиям RoHS и соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 55 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG HSOG-8(TOLG) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | HSOG-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IAUS300N08S5N012 SP001643336 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 231 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 31 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 69 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0012 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |