IAUS300N08S5N011TATMA1, MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008764111
- Артикул
- IAUS300N08S5N011TATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- IAUS300N08S5N011T
- Pin Count
- 16
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 741,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon IAUS300N08S5N011T - это N-канальный автомобильный МОП-транзистор с постоянным током разряда 400 А.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | IAUS300N08S5N011T |
| Pin Count | 16 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 205 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PG HDSOP-16(TOLT) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | HSOG-8 |
| Part # Aliases: | IAUS300N08S5N011T SP005432758 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 178 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 410 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 400 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1800 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 mOhms |