Моя заявка (0)

OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET, 310 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PG-HSOG-4-1 IAUMN10S5N016GAUMA1

OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET, 310 A, 100 V Enhancement, 4-Pin PG-HSOG-4-1 IAUMN10S5N016GAUMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050811816
Артикул
IAUMN10S5N016GAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 1 104,65 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 220 А (Tj) 325 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-HSOG-4-1

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case4-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 230µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 100A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)325W(Tc)
Supplier Device PackagePG-HSOG-4-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13570 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220A(Tj)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А310
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация