Моя заявка (0)

IAUMN10S5N016GAUMA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Surface Mount

IAUMN10S5N016GAUMA1,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 220 A, 0.0016 ohm, HSOG, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046487374
Артикул
IAUMN10S5N016GAUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 929 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 220 А (Tj) 325 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-HSOG-4-1

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.001
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case4-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 230µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 100A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)325W(Tc)
Supplier Device PackagePG-HSOG-4-1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13570 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220A(Tj)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А220
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0016 Ом

Техническая документация