IAUMN10S5N016GAUMA1, MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038517737
- Артикул
- IAUMN10S5N016GAUMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Grade
- Automotive
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 1 000 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 100 В 220 А (Tj) 325 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-HSOG-4-1
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, кг | 1.06 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | 4-PowerSFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 230µA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 325W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-4-1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13570 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220A(Tj) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |