Моя заявка (0)

IAUCN08S7N013ATMA1, MOSFETs 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

IAUCN08S7N013ATMA1, MOSFETs 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029596044
Артикул
IAUCN08S7N013ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand
Infineon
Grade
Automotive
Series
OptiMOS7
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 445,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 80 В 274 А (Tj) 219 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TDSON-8-53

Технические параметры

BrandInfineon
GradeAutomotive
SeriesOptiMOS7
FET TypeN-Channel
Pin Count8
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Package TypePG-TDSON-8-53
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 130µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3mOhm @ 88A, 10V
Особенностиавтомобильные приложения
Power Dissipation (Max)219W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-53
Number of Elements per Chip1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage80 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Maximum Continuous Drain Current274 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8402 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C274A(Tj)
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.3 мОм

Техническая документация