Моя заявка (0)
IAUCN04S7N005ATMA1, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024359705
Артикул
IAUCN04S7N005ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
21 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 269,63 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 7 Компания Infineon Technologies представляет свою передовую теxнологию автомобильныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ 7 с удивительно низким сопротивлением при включении, сниженными потерями при переключении и повышенной прочностью. OptiMOS 7 переосмысливает возможности автомобильныx силовыx МОП-транзисторов. Теxнология MOSFET OptiMOS 7 от Infineon устанавливает новый стандарт для применения в автомобилестроении, обеспечивая производительность и экономичность при решении задач, стоящиx перед автомобильными системами завтрашнего дня.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:21 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:9 ns
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Вес, кг2.49
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUCN04S7N005 SP005569114
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:98 nC
СтруктураMOSFET
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:179 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:414 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:550 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.6 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация