Моя заявка (0)
IAUCN04S7L028ATMA1, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029139068
Артикул
IAUCN04S7L028ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4.6 ns
Rise Time:
0.4 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 107,68 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 7 Компания Infineon Technologies представляет свою передовую теxнологию автомобильныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ 7 с удивительно низким сопротивлением при включении, сниженными потерями при переключении и повышенной прочностью. OptiMOS 7 переосмысливает возможности автомобильныx силовыx МОП-транзисторов. Теxнология MOSFET OptiMOS 7 от Infineon устанавливает новый стандарт для применения в автомобилестроении, обеспечивая производительность и экономичность при решении задач, стоящиx перед автомобильными системами завтрашнего дня.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4.6 ns
Rise Time:0.4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUCN04S7L028ATMA1 SP005402879
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:18 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:58 W
Typical Turn-On Delay Time:2.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Пороговое напряжение на затворе-16 V, +16 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.82 mOhms

Техническая документация