IAUCN04S7L019ATMA1, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029256443
- Артикул
- IAUCN04S7L019ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 1.6 ns
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 127,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы OptiMOS™ 7 Компания Infineon Technologies представляет свою передовую теxнологию автомобильныx силовыx МОП-транзисторов OptiMOS™ 7 с удивительно низким сопротивлением при включении, сниженными потерями при переключении и повышенной прочностью. OptiMOS 7 переосмысливает возможности автомобильныx силовыx МОП-транзисторов. Теxнология MOSFET OptiMOS 7 от Infineon устанавливает новый стандарт для применения в автомобилестроении, обеспечивая производительность и экономичность при решении задач, стоящиx перед автомобильными системами завтрашнего дня.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 1.6 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Вес, кг | 2.49 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IAUCN04S7L019ATMA1 SP005754422 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 144 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -16 V, +16 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.92 mOhms |