Моя заявка (0)
IAUCN04S6N017TATMA1, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029005025
Артикул
IAUCN04S6N017TATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
7 ns
Rise Time:
4 ns
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 188,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:7 ns
Rise Time:4 ns
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Вес, кг2.49
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:LHDSO-10
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUCN04S6N017TATMA1 SP005935458
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:38 nC
Структура1 N-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:103 W
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:200 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.73 mOhms

Техническая документация