Моя заявка (0)

IAUC90N10S5N062ATMA1, 100V 90A 115W 6.2mOhm@45A,10V 3.8V@59uA N Channel 3275pF@50V 36nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TDSON-8-34 MOSFETs

IAUC90N10S5N062ATMA1, 100V 90A 115W 6.2mOhm@45A,10V 3.8V@59uA N Channel 3275pF@50V 36nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) TDSON-8-34 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063706596
Артикул
IAUC90N10S5N062ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
IAUC90N10
Pin Count
8
Fall Time:
2 ns
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS 5 представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор для применения в автомобилестроении. Он подxодит для автоматического оптического контроля (AOI).

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:IAUC90N10
Pin Count8
Fall Time:2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2 ns
Вес, г0.45
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeTDSON
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUC90N10S5N062 SP001468520
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:36 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:115 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Maximum Drain Source Voltage100 V
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current90 A
Rds On - Drain-Source Resistance:6.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация