Моя заявка (0)

OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 70 A, 80 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC70N08S5N074ATMA1

OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 70 A, 80 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC70N08S5N074ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033013944
Артикул
IAUC70N08S5N074ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Grade
Automotive
Series
OptiMOS™ 5
FET Type
N-Channel
Pin Count
8
Цена по запросу
(от 317,11 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Infineon имеет рабочую температуру 175°C и прошел 100-процентное лавинное тестирование. Он соответствует требованиям RoHS и соответствует стандарту AEC Q101.

Технические параметры

GradeAutomotive
SeriesOptiMOS™ 5
FET TypeN-Channel
Pin Count8
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Серия:IAUC70N08
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerTDFN
Упаковка:Cut Tape, Reel
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 36µA
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Технология:Si
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 35A, 10V
Вид монтажа:SMD/SMT
Время спада:5.8 ns
Особенности-
Power Dissipation (Max)83W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-33
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Number of Elements per Chip1
Производитель:Infineon
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Maximum Drain Source Voltage80 V
Торговая марка:Infineon Technologies
Упаковка / блок:TDSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Maximum Drain Source Resistance0.0074 Ω
Qg - заряд затвора:30 nC
Maximum Continuous Drain Current70 A
Время нарастания:1.2 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2080 pF @ 40 V
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A(Tc)
Полярность транзистора:N-Channel
Pd - рассеивание мощности:83 W
Другие названия товара №:IAUC70N08S5N074 SP001780762
Id - непрерывный ток утечки:70 A
Размер фабричной упаковки:5000
Vgs - напряжение затвор-исток:- 20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:10.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:80 V
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 175 C
Типичное время задержки выключения:7 ns
Типичное время задержки при включении:4.7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация