Моя заявка (0)

IAUC60N10S5L110ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Surface Mount

IAUC60N10S5L110ATMA1, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046491787
Артикул
IAUC60N10S5L110ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В 60 А (Tc) 88 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-TDSON-8-33

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.001
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 30µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 30A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)88W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1665 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А110
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.011 Ом