Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET Transistor, 60 A, 20 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC60N04S6N044ATMA1

N-Channel MOSFET Transistor, 60 A, 20 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC60N04S6N044ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014773882
Артикул
IAUC60N04S6N044ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
2 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 168,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Infineon оснащен МОП-транзистором OptiMOS power MOSFET для автомобильныx применений, логическим уровнем N-канального режима усиления и соответствует стандарту AEC Q101.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:1 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSDSON-8
Part # Aliases:IAUC60N04S6N044 SP001700158
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:42 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Typical Turn-Off Delay Time:5 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current60 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.36 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация