Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V PG-TDSON IAUC60N04S6L039ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973628
Артикул
IAUC60N04S6L039ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.1
Channel Type
N
Package Type
PG-TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 216,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Теxнология Infineon OptiMOS 6 40V power MOS в корпусе SS08 размером 5x6 мм2 без свинца обеспечивает высочайший уровень качества и надежности для применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation42Вт
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)42W
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Total Gate Charge (Qg@Vgs)20nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.179nF@25V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Continuous Drain Current (Id)60A
Drain Source On State Resistance0.00328Ом
Maximum Continuous Drain Current60 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 6
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока60А
Рассеиваемая Мощность42Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.6В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Пороговое напряжение на затворе2V@14uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.00328Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация