Моя заявка (0)

Infineon OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC28N08S5L230ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066100560
Артикул
IAUC28N08S5L230ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Pin Count
8
Fall Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Зарядные устройства и адаптеры USB-C Infineon Technologies предлагает полупроводниковые приборы, изготовленные по индивидуальному заказу с учетом приоритетов клиентов - цена/производительность в сочетании со сверxвысокой плотностью энергопотребления. Ассортимент включает в себя всю линейку продуктов с интерфейсом USB-C, начиная от высоковольтныx выключателей питания и заканчивая ШИМ-контроллерами, контроллерами USB-C для подачи питания, а также устройствами защиты от электростатического разряда.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS™ 5
Pin Count8
Fall Time:4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:1 ns
Вес, г0.15
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IAUC28N08S5L230 SP002669400
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSilicon
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:38 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:2 ns
Maximum Drain Source Voltage80 V
Typical Turn-Off Delay Time:6 ns
Id - Continuous Drain Current:28 A
Maximum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.023 Ω
Maximum Continuous Drain Current28 A
Rds On - Drain-Source Resistance:23 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация