OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 28 A, 80 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC28N08S5L230ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013943
- Артикул
- IAUC28N08S5L230ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 186,93 ₽)
Минимальный заказ: 15 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор логического уровня Infineon, используемый в автомобилестроении, имеет рабочую температуру 175°C и 100-процентный лавиноопасный тест.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 1 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IAUC28N08S5L230 SP002669400 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 38 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.023 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом |