Моя заявка (0)

IAUC120N06S5L032ATMA1, 60V 120A 94W 3.2mOhm@60A,10V N Channel TDSON-8-34 MOSFETs

IAUC120N06S5L032ATMA1, 60V 120A 94W 3.2mOhm@60A,10V N Channel TDSON-8-34 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061872886
Артикул
IAUC120N06S5L032ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±16V
Fall Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Теxнология Infineon OptiMOS 5 для 60-вольтовыx МОП-транзисторов в стандартном корпусе SSO8 с компактными габаритами и высокой производительностью обеспечивает низкую емкость RDSon, QG и затвора, а также минимизирует потери на проводимость и коммутацию.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±16V
Fall Time:8 ns
Rise Time:1 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.25
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TDSON-8-34
Product Type:MOSFET
Package / Case8-PowerTDFN
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUC120N06S5L032 SP003244394
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:39.6 nC
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 44µA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Factory Pack Quantity:5000
Power Dissipation (Pd)16W
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 60A, 10V
Pd - Power Dissipation:94 W
Power Dissipation (Max)94W(Tc)
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-34
Total Gate Charge (Qg@Vgs)51.5nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:3.6 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)3.823nF@30V
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Continuous Drain Current (Id)120A
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current120 A
Rds On - Drain-Source Resistance:3.2 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3823 pF @ 30 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A(Tj)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)36pF@30V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.7 V

Техническая документация