Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L012ATMA1

N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L012ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024916597
Артикул
IAUC120N04S6L012ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
TDSON
Цена по запросу
(от 378,65 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой транзистор Infineon OptiMOS 6 - это N-канальный силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности. Он прошел 100%-ные лавинные испытания.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypeTDSON
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Power Dissipation (Pd)115W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)80nC@10V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.832nF@25V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Continuous Drain Current (Id)120A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора60 nC
Время нарастания3 ns
Maximum Continuous Drain Current120 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности115 W
Другие названия товара №IAUC120N04S6L012 SP001790492
Id - непрерывный ток утечки120 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.29 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе2V@60uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения23 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт115
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.21mΩ@60A, 10V

Техническая документация