Моя заявка (0)

IAUC Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L009ATMA1

IAUC Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L009ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973623
Артикул
IAUC120N04S6L009ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
IAUC120N04
Fall Time:
19 ns
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 567,45 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Теxнология Infineon OptiMOS6 40V power MOS в корпусе SS08 размером 5x6 мм2 без свинца обеспечивает высочайший уровень качества и надежности для применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:IAUC120N04
Fall Time:19 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IAUC120N04S6L009 SP001618638
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:128 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:39 ns
Id - Continuous Drain Current:120 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current120 A
Rds On - Drain-Source Resistance:980 uOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация