IAUC120N04S6L008ATMA1, MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006235075
- Артикул
- IAUC120N04S6L008ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Q(g)
- 88 nC
- V(DS)
- 40 V
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 150 W
Цена по запросу
(от 235,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 20 до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 и предназначены для применения в автомобилестроении. Они доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.
Технические параметры
| Q(g) | 88 nC |
| V(DS) | 40 V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 150 W |
| Series | IAUC |
| Package | TDSON-8 |
| R(thJC) | 1 K/W |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Fall Time: | 27 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 6 ns |
| Technology | OptiMOS |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 8 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | N-CH |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| RDS(on)at 10V | 0.8 mOhm |
| Configuration: | Single |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 120 A |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | IAUC120N04S6L008 SP001633598 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 140 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 150W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 140nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.91nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0008 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 650мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 uOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS-6 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 650мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |