IAUC120N04S6L005ATMA1, 40V 120A 0.55mOhm@60A,10V 187W N Channel TDSON-8-53 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070071153
- Артикул
- IAUC120N04S6L005ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 28 ns
- Rise Time:
- 8 ns
- Tradename:
- OptiMOS
Цена по запросу
(от 342 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon OptiMOS - это силовой МОП-транзистор для автомобильной промышленности. Рабочий канал - N. Он соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 28 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Tradename: | OptiMOS |
| Вес, г | 0.61 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | IAUC120N04S6L005 SP001723538 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 136 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 187W |
| Pd - Power Dissipation: | 187 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 177nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.203nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 550 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |