Моя заявка (0)

SIlIcon N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon IAUC100N10S5N040ATMA1

SIlIcon N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon IAUC100N10S5N040ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063764177
Артикул
IAUC100N10S5N040ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор_(75V 120V(

Технические параметры

SeriesOptiMOS
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSilicon
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада14 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTDSON-8
Maximum Drain Source Voltage100 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Qg - заряд затвора78 nC
Maximum Drain Source Resistance0.004 Ω
Время нарастания5 ns
Maximum Continuous Drain Current100 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности167 W
Другие названия товара №IAUC100N10S5N040 SP001646990
Id - непрерывный ток утечки100 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток5.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения19 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V

Техническая документация