Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET, 100 A, 20 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon IAUC100N10S5L040ATMA1

N-Channel MOSFET, 100 A, 20 V, 8-PIn SuperSO8 5 x 6 InfIneon IAUC100N10S5L040ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063727577
Артикул
IAUC100N10S5L040ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
8
Fall Time:
21 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count8
Fall Time:21 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-8
Part # Aliases:IAUC100N10S5L040 SP001646988
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:78 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:167 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Typical Turn-Off Delay Time:30 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000

Техническая документация