OptiMOS™ 5 Silicon N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N08S5N043ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033013942
- Артикул
- IAUC100N08S5N043ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series
- OptiMOS™ 5
- Series:
- IAUC100N08
Цена по запросу
(от 439,78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Infineon имеет рабочую температуру 175°C и прошел 100-процентное лавинное тестирование. Он соответствует требованиям RoHS и соответствует стандарту AEC Q101.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Series: | IAUC100N08 |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 8 |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | IAUC100N08S5N043 SP001780758 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 63µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Power Dissipation (Max) | 125W(Tc) |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0043 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3860 pF @ 40 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0036 Ом |