Моя заявка (0)

IAUC100N04S6N015ATMA1, 40V 100A 100W 1.55mOhm@50A,10V 3V@50uA 1 N-Channel TDSON-8 MOSFETs ROHS

IAUC100N04S6N015ATMA1, 40V 100A 100W 1.55mOhm@50A,10V 3V@50uA 1 N-Channel TDSON-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8042955007
Артикул
IAUC100N04S6N015ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 104,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В Infineon Technologies Автомобильные МОП-транзисторы с N-каналом от 20 В до 40 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы предназначены для широкого спектра применений, включая управление электродвигателями EPS, 3-фазными двигателями и двигателями с Н-образным мостом, управление вентиляторами ОВКВ и электрическими насосами в сочетании с ШИМ-управлением.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4 ns
Вес, г0.18
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TSDSON-8
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUC100N04S6N015 SP001700154
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:42 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:100 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.42 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.6 V

Техническая документация