Моя заявка (0)
N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V PG-TDSON IAUC100N04S6N015ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030973621
Артикул
IAUC100N04S6N015ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 152,51 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Теxнология Infineon OptiMOS 6 40V power MOS в корпусе SS08 размером 5x6 мм2 без свинца обеспечивает высочайший уровень качества и надежности для применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:4 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePG-TDSON
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:TSDSON-8
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUC100N04S6N015 SP001700154
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:42 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:100 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current100 A
Rds On - Drain-Source Resistance:1.42 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.6 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация