IAUC Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L014ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014772881
- Артикул
- IAUC100N04S6L014ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 12 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 371,87 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IAUC100N04S6L014, SP001700120
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 12 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | IAUC100N04S6L014 SP001700120 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 100Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 49 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 65nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.935nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.00112Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.52 mOhms |
| Линейка Продукции | OptiMOS 6 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Рассеиваемая Мощность | 100Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@50uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00112Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4mΩ@50A, 10V |