Моя заявка (0)

IAUA220N08S5N021AUMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Surface Mount

IAUA220N08S5N021AUMA1, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 220 A, 0.0018 ohm, HSOF, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046390006
Артикул
IAUA220N08S5N021AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.001
Цена по запросу
(от 603 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 80 В 220 А (Tj) 211 Вт (Tc) для поверxностного монтажа PG-HSOF-5-4

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.001
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case5-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 120µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 100A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)211W(Tc)
Supplier Device PackagePG-HSOF-5-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7219 pF @ 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220A(Tj)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А21
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0018 Ом

Техническая документация