Моя заявка (0)

IAUA210N10S5N024AUMA1, 100V 210A 238W 2.4mOhm@10V,100A 3.8V 1 N-channel HSOF-5 MOSFETs ROHS

IAUA210N10S5N024AUMA1, 100V 210A 238W 2.4mOhm@10V,100A 3.8V 1 N-channel HSOF-5 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044615862
Артикул
IAUA210N10S5N024AUMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Product:
MOSFETs
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 522 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSF-транзисторы OptiMOS™ 5 Power MOSF-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 Power разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении затрат на систему. Эти устройства отличаются более низкими показателями RDS(on) и коэффициентом полезного действия (RDS(on) x Qg) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием новой кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичные области применения этиx МОП-транзисторов включают серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут быть использованы для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), а также для управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстропереключаемыx преобразователяx постоянного тока.учить больше

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Product:MOSFETs
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:IAUA210N10S5N024 SP005412964
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:91 nC
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Pd - Power Dissipation:238 W
Id - Continuous Drain Current:210 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.8 V

Техническая документация