HYG200P10LR1P, 100V 80A 20m-@10V,40A 214W 1.8V@250uA 91pF@50V P Channel 11.52nF@50V 83nC@10V +175-@(Tj) TO-220FB-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015936129
- Артикул
- HYG200P10LR1P
- Бренд
- HUAYI
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 2.74
- Корпус
- TO-220
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 106,14 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 80 А 20 Мом при 10 В, 40 А 214 Вт 1.8V@250uA P-канал TO-220FB-3 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 2.74 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 214W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 83nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.52nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 91pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 214 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20mΩ@10V, 40A |