HYG180N10LS1P, 100V 50A 16.5m-@10V,25A 93.7W 1.8V@250uA 22.8pF@25V N Channel 1.606nF@25V 11.6nC@10V +175-@(Tj) TO-220FB-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015858125
- Артикул
- HYG180N10LS1P
- Бренд
- HUAYI
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 2.07
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 75,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 50 А 16.5mOhm@10V,25Мощность 93,7 Вт 1.8V@250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-220FB-3 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.07 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 93.7W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.6nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.606nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22.8pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 93.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16.5mΩ@10V, 25A |