HYG110P04LQ2D, TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015937501
- Артикул
- HYG110P04LQ2D
- Бренд
- HUAYI
- Type
- -
- Вес, г
- 0.44
- Корпус
- TO-252
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 55,10 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | - |
| Вес, г | 0.44 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | - |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |