HYG080N10LS1C2, 100V 65A 6.9m-@10V,20A 71W 2V@250uA 39pF@25V N Channel 2070pF@25V 30.2nC@10V -55-~+175-@(Tj) TDFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015881810
- Артикул
- HYG080N10LS1C2
- Бренд
- HUAYI
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.21
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+175℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 60,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 65 А 6.9mOhm@10V,2071 Вт 2 В при 250 мкА N-канальные МОП-транзисторы TDFN-8(5.2x5.9) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.21 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 71W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30.2nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.07nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 65A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 39pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 71 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.9mΩ@10V, 20A |