Моя заявка (0)

HYG060N08NS1D, 80V 80A 5.7m-@10V,40A 75W 3V@250uA 60pF@25V N Channel 2.96nF@25V 48nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015914846
Артикул
HYG060N08NS1D
Бренд
HUAYI
Type
N Channel
Packaging
Tape и Reel(TR)
Вес, г
0.42
Manufacturer
HUAYI
Цена по запросу
(от 58,32 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

80 В 80 А 5.7mOhm@10V,4075 Вт 3 В при 250 мкА N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора, соответствующий требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
PackagingTape и Reel(TR)
Вес, г0.42
ManufacturerHUAYI
КорпусTO-252
Package / CaseTO-252-2L
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)75W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)48nC@10V
Drain Source Voltage (Vdss)80V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.96nF@25V
Continuous Drain Current (Id)80A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)60pF@25V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)5.7mΩ@10V, 40A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.7mΩ@10V, 40A