HYG053N10NS1B, 100V 120A 187.5W 4.8m-@10V,50A 3V@250uA 76pF@25V N Channel 4036pF@25V 70nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-263-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015925525
- Артикул
- HYG053N10NS1B
- Бренд
- HUAYI
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1.64
- Корпус
- TO-263
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 78,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 120 А 187,5 Вт 4.8mOhm@10V,50A 3 В при 250 мкА N-канальный TO-263-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.64 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 187.5W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.036nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 120A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 76pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V, 50A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8mΩ@10V, 50A |