HYG050N13NS1B6, 135V 200A 3.8m-@10V,50A 375W 3V@250uA 181pF@75V N Channel 11.662nF@75V 165nC@10V +175-@(Tj) TO-263-6 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015838634
- Артикул
- HYG050N13NS1B6
- Бренд
- HUAYI
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1.68
- Корпус
- TO-263
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
135 В 200 А 3.8mOhm@10V,50A 375 Вт 3 В при 250 мкА N-канальный TO-263-6 МОП-транзисторов, соответствующий требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.68 |
| Корпус | TO-263 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 375W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 165nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.662nF@75V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 181pF@75V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 135 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.8mΩ@10V, 50A |