HYG045N03LA1C2, 30V 78A 3.6m-@10V,20A 52W 1.6V@250uA 223pF@25V N Channel 2.13nF@25V 24.1nC@4.5V -55-~+175-@(Tj) DFN-8(5.2x5.9) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015934246
- Артикул
- HYG045N03LA1C2
- Бренд
- HUAYI
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.22
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+175℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 27,63 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 78 А 3.6mOhm@10V,20A 52 Вт 1.6V@250uA N-канальные полевые транзисторы DFN-8(5.2x5.9) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.22 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 52W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24.1nC@4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.13nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 78A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 223pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.6mΩ@10V, 20A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 78 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.6mΩ@10V, 20A |