Моя заявка (0)

HYG030N03LQ1D, 30V 100A 2.5m-@10V,30A 57W 1.3V@250uA 292pF@25V N Channel 1.958nF@25V 29.7nC@4.5V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015915687
Артикул
HYG030N03LQ1D
Бренд
HUAYI
Type
N Channel
Вес, г
0.53
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 62 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

30 В 100 А 2.5mOhm@10V,30A 57 Вт 1.3V@250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252-2 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.53
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)57W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)29.7nC@4.5V
Drain Source Voltage (Vdss)30V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.958nF@25V
Continuous Drain Current (Id)100A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)1.3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)292pF@25V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)2.5mΩ@10V, 30A
Пороговое напряжение на затворе1.3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт57
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.5mΩ@10V, 30A