HYG022N10NS1TA, 100V 249A 312W 2.2m-@10V,50A 3.1V@250uA 186.6pF@25V N Channel 9026pF@25V 160.5nC@10V -55-~+175-@(Tj) TOLL MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015882662
- Артикул
- HYG022N10NS1TA
- Бренд
- HUAYI
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1.06
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+175℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 165,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 249 А 312 Вт 2.2mOhm@10V,50A 3.1V@250uA N-канальные ПЛАТНЫЕ МОП-транзисторы ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1.06 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 312W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 160.5nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 9.026nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 249A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 186.6pF@25V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 249 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 312 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.2mΩ@10V, 50A |