HYG009N04LS1C2, Транзистор MOSFET, N канальный, 40V 200A 0.75-@10V,40A 75W 1.8V@250uA 58pF@25V 5876pF@25V 41nC@4.5V -55-~+175-@(Tj) DFN-8(5.
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015848983
- Артикул
- HYG009N04LS1C2
- Бренд
- HUAYI
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.61
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+175℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 124,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 200 А 750 Мом при 10 В, 40 А 75 Вт 1.8V@250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN-8(5.1x5.8) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.61 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 75W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 41nC@4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.876nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 58pF@25V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@10V, 40A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 750mΩ@10V, 40A |