Моя заявка (0)

HY1001D, 70V 70A 7.4m-@10V,40A 75W 3V@250uA 220pF@25V N Channel 4200pF@25V 82nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs

HY1001D, 70V 70A 7.4m-@10V,40A 75W 3V@250uA 220pF@25V N Channel 4200pF@25V 82nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015858513
Артикул
HY1001D
Бренд
HUAYI
Type
N Channel
Вес, г
0.53
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

70В 70А 7.4mOhm@10V,40A 75 Вт 3 В при 250uA N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора, соответствующий требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.53
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)75W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)82nC@10V
Drain Source Voltage (Vdss)70V
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.2nF@25V
Continuous Drain Current (Id)70A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)3V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)220pF@25V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)7.4mΩ@10V, 40A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В70
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)7.4mΩ@10V, 40A

Техническая документация